Сообщение от clanon2
Посмотреть сообщение
1) снижение доброности Q отдельно взятых элементов (снижение добротности контура). Элементы с низкой Q имеют более плавный ход кривых Re и/или jX (для неизлучающих элементов только jX).
2) комбинирование в одной схеме элементов (пусть и высокодобротных) с разным направлением хода реактивности и разнесение по резонансных частотах таких элементов (аналог создания широкополосных фильтров из добротных кварцевых или SAW резонаторов)
Сам по себе отдельно взятый патч более высокодобротный (более избирательный, узкополосный) если он максимально компактный (круглый имеет максимально возможную реактивность) и максимально приближен к рефлектору.
Увеличение размера патча и увеличение зазора до рефлектора уменьшают Q (ход кривых Re/jX более пологий). Эллиптический 1.5-лямбдовый патч на высоте 0.1 лямбда на порядок ниже Q по сравнению с круглым патчем на высоте 0.02 лямбда
Добавление паразитного директора (с разносом частоты, смещенного на другую соседнюю частоту) очень резко снижает Q
Здесь пример
Четвертьволновые линии согласования это тоже резонансные элементы, у котороых тоже есть своя полоса пропускания. Более сложные схемы имееют больше степеней свободы. Фильтр 2 порядка может дать больше полосу пропускания чем фильтр 1-го порядка.
Прокомментировать: